Reglas de diseño de Circuitos Integrados

Se pueden utilizar procesos de diseño top – down o bottom – up

Top - Down

En esta se parte de las especificaciones de más alto nivel, llegando al circuito integrado, pasando por todos los niveles de jerarquía.

Dentro del proceso top – down se pueden distinguir dos fases bien diferenciadas:

•Descripciones de
alto nivel:
•Diagrama.
•HDL (Hardware
Description
Language).

•Según una
familia lógica.
•Esquemas a nivel
de transistores:
Nivel eléctrico.
•Layout a partir
del nivel
eléctrico: Nivel
geométrico.

Bottom - Up

Esta metodología de diseño comprende la descripción del circuito mediante componentes
que pueden agruparse en diferentes módulos, y éstos últimos a su vez en otros módulos hasta llegar a representar el sistema completo que se desea implementar, no implica una estructuración jerárquica de los elementos del
sistema. Simplemente reúne componentes de bajo nivel para formar el diseño global.

En los CI, es posible encontrar diferentes estrategias de diseño, como pueden ser:

ASICs (Application Specific Integrated Circuits)

PLD (Programmable Logic Device)

Son aquellos en los que se deben construir tanto las puertas como las conexiones.

Circuitos programables en los que se encuentran ya construidos todas las puertas y conexiones de tal forma que únicamente hay que indicar cuales están habilitadas mediante una programación.

Una vez que tenemos
un layout correcto, se
pasa a la foundry (que
es la fábrica encargada
de obtener el circuito
físico) para que lleve a
cabo todos los procesos
de integración.

El material base de los circuitos integrados es una oblea o disco de semiconductor. Las tecnologias mas comunes son: Silicio, Arseniuro de Galio y Germanio

En función del tipo de impurezas
existen diferentes tipos de procesos:

* n – well (Europa): el dopado de la oblea es de tipo p. *p – well (EEUU): el dopado de la oblea es de tipo n. *Well gemelos (extendiendo): el dopado de la oblea no tiene demasiada
importancia ya que se van a generar los dos tipos de well (n-well y p-well).