Manufactura MEMS

un espaciador deposita sobre un sustrato de silicio recubierto con una capa dieléctrica delgada

Utiliza grabados dependientes de la orientación en silicio monocristalino

Utiliza el mismo enfoque básico que la estereolitografía, pero existen algunas diferencias importantes entre los dos procesos.

El enmascaramiento instantáneo es una
técnica EFAB para producir dispositivos MEMS

Es un acrónimo alemán para los procesos combinados de litografía de
rayos X , electrodeposición y moldeado

Se une una segunda capa de protección de PMMA a esta estructura y se expone a los rayos X , utilizando una máscara de rayos X alineada

HEXSIL puede producir estructuras altas, con una definición de forma
que rivaliza con la de las estructuras producidas por LIGA.

fue desarrollado con el
fin de utilizar la mayor masa de tungsteno en dispositivos y sistemas micromecánicos. En MolTun, se modela un óxido de sacrificio mediante litografía y luego se graba.