Topic flotante
DIODOS
APLICACIONES
fuentes de alimentación
Topic flotante La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintonía de TV, modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensión).
para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia.
Topic floSe usa principalmente en aplicaciones como iluminación de aviación, señales de tráfico, flashes de cámara etc.tante
Está diseñado para evitar que los otros dispositivos semiconductores tengan impulsos de voltaje momentáneos. Actúa como regulador de voltaje
TIPOS DE
SEMICONDUCTORES
DIODO ZENER
DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
SubtEl diodo Schottkyopic
El Diodo túnel
El Diodo de capacidad variable o Varactor
DIODOS RECTIFICADORES
Materiales semiconductores tipo N y tipo P
Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptores o donantes de electrones y los semiconductores dopados correspondientes se conocen como:
Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.
Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos donadores de electrones se llama semiconductor de tipo n
La mayoría de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos.
Cristal de Silicio "dopado" con átomos de Arsénico. Átomos "Donadores"
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan átomos donadores.
Los materiales tipo N se crean añadiendo elementos de impureza (átomos) que tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".
El Fósforo (P) el Arsénico (As) y el Antimonio (Sb) ya que tienen 5 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes con el silicio o el germanio que tienen 4 electrones en su órbita exterior
El número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al número de sitios donantes, n≈N D .
Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores de electrones se llama semiconductor de tipo p
La mayoría de los portadores de carga en el cristal son agujeros de electrones (portadores de carga positiva).
Cristal de Silicio "Dopado" con átomos o impurezas de Galio. Átomos "Aceptores"
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan átomos aceptores.
Los materiales tipo P se crean añadiendo elementos de impurezas (átomos) que tengan tres electrones de valencia.
El Indio (In), el Boro (B) y el Aluminio (Al) debido a que cada uno posee 3 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes,
El número total de orificios es aproximadamente igual al número de sitios donantes, p ≈ N A .
