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Transistor de Potencia MOSFET

El MOSFET es un transistor de potencia con alta eficiencia energética y velocidad de conmutación rápida, adecuado para aplicaciones de alta frecuencia. Su tamaño pequeño lo hace ideal para la integración en circuitos.

Transistor de Potencia MOSFET

Transistor de Potencia MOSFET

Tecnologías Relacionadas

- CMOS (Complementary MOS): Tecnología de fabricación que usa MOSFETs complementarios (nMOS y pMOS). - FinFET (Fin Field-Effect Transistor): Evolución del MOSFET tradicional con mejor control del canal.

Desventajas

- Sensibilidad a la Carga Estática: Puede dañarse por descargas electrostáticas. - Linealidad Limitada: Menor linealidad comparada con los transistores bipolares.

Aplicaciones

- Conmutación Rápida: Utilizado en circuitos de conmutación rápida. - Amplificadores: Uso en amplificadores de señales analógicas. - Convertidores de Potencia: Utilizado en fuentes de alimentación y convertidores DC-DC. - Circuitos Lógicos: Base de los circuitos integrados CMOS.

Tipos de MOSFET

- Enhancement Mode: * Necesita un voltaje positivo en la puerta para conducir (nMOS). * Necesita un voltaje negativo en la puerta para conducir (pMOS). - Depletion Mode * Conduce sin aplicar voltaje en la puerta. * El voltaje aplicado en la puerta puede detener la conducción.

Parámetros Importantes

- Vgs(th) (Voltaje Umbral): Voltaje necesario en la puerta para comenzar a conducir. - Id (Corriente de Drenaje): Corriente máxima que puede pasar del drenaje a la fuente. - Rds(on) (Resistencia en Conducción): Resistencia entre el drenaje y la fuente cuando el MOSFET está encendido.

Ventajas

- Alta Eficiencia: Bajo consumo de energía en estado de espera. - Velocidad de Conmutación: Muy rápida, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia. - Tamaño Pequeño: Ideal para integración en circuitos integrados.

Características Eléctricas

- Alta Impedancia de Entrada: Menor consumo de energía en el control de la puerta. - Baja Resistencia de Conducción (Rds(on)): Menor pérdida de potencia cuando está encendido. - Capacidad de Manejo de Corriente: Varía según el diseño y el tipo, generalmente alta.

Estructura Básica

- Puerta (Gate): Controla el flujo de corriente. - Drenaje (Drain): Punto de salida de la corriente. - Fuente (Source): Punto de entrada de la corriente. - Cuerpo (Body):mSubstrato semiconductor, generalmente conectado a la fuente.