Transistor de Potencia MOSFET

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Tecnologías Relacionadas

- CMOS (Complementary MOS): Tecnología de fabricación que usa MOSFETs complementarios (nMOS y pMOS). - FinFET (Fin Field-Effect Transistor): Evolución del MOSFET tradicional con mejor control del canal.

Desventajas

- Sensibilidad a la Carga Estática: Puede dañarse por descargas electrostáticas. - Linealidad Limitada: Menor linealidad comparada con los transistores bipolares.

Aplicaciones

- Conmutación Rápida: Utilizado en circuitos de conmutación rápida. - Amplificadores: Uso en amplificadores de señales analógicas. - Convertidores de Potencia: Utilizado en fuentes de alimentación y convertidores DC-DC. - Circuitos Lógicos: Base de los circuitos integrados CMOS.

Tipos de MOSFET

- Enhancement Mode: * Necesita un voltaje positivo en la puerta para conducir (nMOS). * Necesita un voltaje negativo en la puerta para conducir (pMOS). - Depletion Mode * Conduce sin aplicar voltaje en la puerta. * El voltaje aplicado en la puerta puede detener la conducción.

Parámetros Importantes

- Vgs(th) (Voltaje Umbral): Voltaje necesario en la puerta para comenzar a conducir. - Id (Corriente de Drenaje): Corriente máxima que puede pasar del drenaje a la fuente. - Rds(on) (Resistencia en Conducción): Resistencia entre el drenaje y la fuente cuando el MOSFET está encendido.

Ventajas

- Alta Eficiencia: Bajo consumo de energía en estado de espera. - Velocidad de Conmutación: Muy rápida, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia. - Tamaño Pequeño: Ideal para integración en circuitos integrados.

Características Eléctricas

- Alta Impedancia de Entrada: Menor consumo de energía en el control de la puerta. - Baja Resistencia de Conducción (Rds(on)): Menor pérdida de potencia cuando está encendido. - Capacidad de Manejo de Corriente: Varía según el diseño y el tipo, generalmente alta.

Estructura Básica

- Puerta (Gate): Controla el flujo de corriente. - Drenaje (Drain): Punto de salida de la corriente. - Fuente (Source): Punto de entrada de la corriente. - Cuerpo (Body):mSubstrato semiconductor, generalmente conectado a la fuente.