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LIPIDOS

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Cultivo de cristales y preparación de obleas

El cristal se corta en obleas individuales, utilizando una hoja con incrustaciones de diamante de diámetro interior

El silicio debe someterse a una serie de pasos de purificación para convertirse en el material monocristalino de alta calidad, libre de defectos, necesario para la fabricación de dispositivos semiconductores.

Oxidación

El crecimiento de una capa de óxido como resultado de la reacción del oxígeno con el material del sustrato

Oxidación húmeda

Oxidación seca

Salas limpias

Los cuartos limpios están diseñados de tal manera que la limpieza en áreas críticas de procesamiento es mejor que en el cuarto limpio en general

Las salas blancas son fundamentales para la producción de circuitos integrados, hecho que puede ser apreciado señalando la escala de fabricación a realizar.

Manufactura de Dispositivos Microelectrónicos

Empaquetado y unión de cables

El proceso de empaquetado determina en gran medida el costo total de cada circuito integrado completo, ya que los circuitos se producen en masa en la oblea, pero luego se empaquetan individualmente

Una vez que el chip se ha adherido a su sustrato, debe conectarse eléctricamente a los cables del paquete.

Metalización y pruebas

La planarización

La producción de una superficie plana de dieléctricos entre capas, es fundamental para la reducción de los cortos metálicos y la variación del ancho de línea de la interconexión

Metalización

Los metales se depositan mediante técnicas de deposición estándar

Litografía

Proceso mediante el cual los patrones geométricos que definen los dispositivos se transfieren a la superficie del sustrato

BISTURÍ

Litografía por haz de electrones y haz de iones

Litografía de rayos X

Litografía ultravioleta extrema

Litografía de inmersión

División de tono

Fotolitografía

Deposición de película

Las películas se utilizan ampliamente en el procesamiento de dispositivos microelectrónicos, en particular los tipos aislantes y conductores

Epitaxia

ocurre cuando la orientación del cristal del depósito está relacionada directamente con la orientación del cristal en el sustrato cristalino subyacente

La deposición al vacío

La pulverización