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Organigrama
Existen diversas técnicas de deposición química en fase vapor (CVD) utilizadas en la fabricación de semiconductores. Una de ellas es la deposición química de vapor metalorgánico (MOCVD)
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En el mecanismo pirolítico, el láser calienta el sustrato para descomponer los gases que se encuentran encima y mejorar la velocidad de las reacciones químicas allí. La deposición pirolítica requiere sustratos que se fundan por encima de las temperaturas necesarias para la descomposición del gas.
En SiO, se han informado tasas de deposición de 150 A / min a temperaturas tan bajas como 50 ° C, lo que indica las excitantes posibilidades inherentes a tal procesamiento.
son sensibles se producen a precursores de alta presión, por lo que son peligrosos y tóxicos
La reacción fotosensibilizada del silano y la hidracina. produce películas de nitruro de silicio y SiO, las películas se han producido a partir de un gas mezcla de SiH ,, N, O y N.
Se hacen reaccionar con hidruros del grupo V, y durante la pirólisis se forma el compuesto semiconductor; Por ejemplo, los compuestos orgánicos del Grupo V TMA, TEAS (trietil-arsénico), TMP, TESb, etc., también existen, por lo que se han llevado a cabo reacciones de pirólisis totalmente orgánicas.
Subtopic
la contaminación de las películas por carbono Ya que todos los elementos permanecen en la etapa de vapor, es viable un control electrónico preciso de los caudales de gas y las presiones parciales. Esto, combinado con actitudes de pirólisis que son subjetivamente insensibles a la temperatura, posibilita una deposición eficiente y reproducible.
La gran ventaja de utilizar metalorgánicos es que son volátiles a temperaturas moderadamente bajas; no hay fuentes de Ga o In líquido molestas en el reactor para controlar el transporte al sustrato.
Generalmente, la radio las frecuencias empleadas van desde aproximadamente 100 kHz a 40 MHz a presiones de gas. entre 50 mtorr a 5 torr. En estas condiciones, el electrón y el ion positivo número de densidades entre lo9 y 101 * / cm3, y energías electrónicas promedio rango de 1 a 10 eV.
Este entorno de descarga energética es suficiente para descomponer las moléculas de gas en una variedad de especies componentes, como trones, iones, átomos y moléculas en estado fundamental y excitado, radicales libres, etc.
El efecto neto de las interacciones entre estos fragmentos moleculares reactivos es hacer que las reacciones químicas se produzcan a temperaturas mucho más bajas que las en reactores CVD convencionales sin beneficio de plasmas.
Por lo tanto, reacciones a alta temperatura increíblemente inviables pueden producirse a temperatura sustratos sensibles a la textura.
parámetros de operación
Sin embargo, para una temperatura dada, cuando se baja la presión la velocidad de difusión aumenta notablemente por lo que es la reacción en la superficie la que determina la cinética de la reacción de formación de la película. Al mismo tiempo mejora también la uniformidad de espesor de las capas.
tipo de reacciones que se llevan a cabo (recubrimientos formados.)
De esta forma, es posible un control más preciso del proceso mediante la elección adecuada de los parámetros experimentales. El trabajo a presión reducida permite además la deposición de un gran número de muestras en un solo experimento, colocando las muestras muy próximas entre sí, sin pérdida de la homogeneidad de espesor.
desventajas
No obstante, para una temperatura dada, una vez que se baja la presión la rapidez de difusión se incrementa de forma notable por lo cual es la actitud en el área la que establece la cinética de la actitud de formación de la película.
ventajas
Es económica, se usa en la electrónica en procesos de deposición de materiales aislantes, de silicio amorfo y policristalino y de metales refractarios y siliciuros.
