2.1.1 Materiales semiconductores tipo N y tipo P

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2.1.1 Materiales semiconductores tipo N y tipo P

Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptores o donantes de electrones y los semiconductores dopados correspondientes se conocen como:

Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos donadores de electrones se llama semiconductor de tipo n

La mayoría de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos.

Cristal de Silicio "dopado" con átomos de Arsénico. Átomos "Donadores" Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan átomos donadores. Los materiales tipo N se crean añadiendo elementos de impureza (átomos) que tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".

El Fósforo (P) el Arsénico (As) y el Antimonio (Sb) ya que tienen 5 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes con el silicio o el germanio que tienen 4 electrones en su órbita exterior

El número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al número de sitios donantes, n≈N D .

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores de electrones se llama semiconductor de tipo p

La mayoría de los portadores de carga en el cristal son agujeros de electrones (portadores de carga positiva).

Cristal de Silicio "Dopado" con átomos o impurezas de Galio. Átomos "Aceptores" Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan átomos aceptores. Los materiales tipo P se crean añadiendo elementos de impurezas (átomos) que tengan tres electrones de valencia.

El Indio (In), el Boro (B) y el Aluminio (Al) debido a que cada uno posee 3 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes,

El número total de orificios es aproximadamente igual al número de sitios donantes, p ≈ N A .