по IRVING GARCIA BENITEZ 3 лет назад
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Cristal de Silicio "dopado" con átomos de Arsénico. Átomos "Donadores" Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan átomos donadores. Los materiales tipo N se crean añadiendo elementos de impureza (átomos) que tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".
El Fósforo (P) el Arsénico (As) y el Antimonio (Sb) ya que tienen 5 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes con el silicio o el germanio que tienen 4 electrones en su órbita exterior
El número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al número de sitios donantes, n≈N D .
Cristal de Silicio "Dopado" con átomos o impurezas de Galio. Átomos "Aceptores" Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan átomos aceptores. Los materiales tipo P se crean añadiendo elementos de impurezas (átomos) que tengan tres electrones de valencia.
El Indio (In), el Boro (B) y el Aluminio (Al) debido a que cada uno posee 3 electrones en su órbita exterior y al formar los enlaces covalentes,
El número total de orificios es aproximadamente igual al número de sitios donantes, p ≈ N A .