作者:Thomas Bordelet 6 年以前
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rapport atome dopant / atome de silicium
1 pour 10^6
Purification
3/ Méthode de Czochralski
2/ Attaque au HCl
1/ SiO2 dans un four à arc électrique
facilement conducteur par excitation
Silicium 2ème niveau présence sur Terre après O
semi-conducteur
CFC
dopage P possible
Phosphore (colonne 15)
Dopage N possible
Bore (colonne 13)